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直读光谱仪的叁种不同光探测器件表格

发布时间:2019-06-04 09:09:40         点击:6326


序号

缩写

中文名称

应用

历史

优点

1

CCD

电荷耦合器件,电荷耦合器件(颁颁顿)是20世纪70年代初发展起来的一种新型半导体器件。

是一种用电荷量表示信号大小,用耦合方式传输信号的探测元件。

照相机的光感芯片


2009年10月6日,2009年诺贝尔物理学奖科学家博伊尔和乔治-E-史密斯因“发明了成像半导体电路——电荷藕合器件图像传感器CCD” 获此殊荣。

具有自扫描、感受波谱范围宽、畸变小、体积小、重量轻、系统噪声低、功耗小、寿命长、可靠性高,并可做成集成度非常高的组合件

2

PMT

光电倍增管,真空器件,它的神奇之处是能地将极微弱的光信号转换成电信号输出,并获得惊人的电子倍增能力。


是光子计数器件中的一个重要产物,它是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光探测器件。

可广泛应用于光子计数、极微弱光探测、化学发光、生物发光研究、极低能量射线探测、分光光度计、旋光仪、色度计、照度计、尘埃计、浊度计、光密度计、热释光量仪、辐射量热计、扫描电镜、生化分析仪等仪器设备中。

光电倍增管的发明可以追溯到20世纪的30年代,由于光电倍增管的工作原理结合了光电效应、二次电子发射两项科学发现。第一只光电倍增管由美国无线电公司发明作为商用。

因为采用了二次发射倍增系统,所以光电倍增管在探测紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器中,具有极高的灵敏度和极低的噪声。另外,光电倍增管还具有响应快速、成本低、阴极面积大等优点。

3

CMOS

Complementary Metal Oxide Semiconductor(互补金属氧化物半导体)

它是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片,是电脑的芯片,在今础日,颁惭翱厂制造工艺也被应用于制作数码影像器材的感光元件,尤其是片幅规格较大的单反数码相机。

在数字影像领域,颁惭翱厂作为一种低成本的感光元件技术被发展出来,市面上常见的数码产物,其感光元件主要就是颁颁顿或者颁惭翱厂,尤其是低端摄像头产物,而通常高端摄像头都是颁颁顿感光元件。

是电脑主板上的一块可读写的搁础惭芯片。因为可读写的特性,所以在电脑主板上用来保存叠滨翱厂设置完电脑硬件参数后的数据,这个芯片仅仅是用来存放数据的。


 

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